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  • 單光子探測(cè)器的探測(cè)效率標(biāo)定系統(tǒng)

    • 產(chǎn)品型號(hào):DSR600-PDE
    • 產(chǎn)品時(shí)間:2025-04-02
    • 簡要描述:單光子探測(cè)器的探測(cè)效率標(biāo)定系統(tǒng),測(cè)量光子探測(cè)器的光譜響應(yīng)范圍、PDE峰值波長、PDE峰值等關(guān)鍵信息。
    • 產(chǎn)品介紹

    單光子探測(cè)器的探測(cè)效率標(biāo)定系統(tǒng)介紹

    本系統(tǒng)主要用來測(cè)試和評(píng)估具有單光子靈敏度的光子計(jì)數(shù)器/ 探測(cè)器的光子探測(cè)效率(Photon Detection Efficiency,PDE)。本系統(tǒng)的原理是,穩(wěn)恒寬帶光源經(jīng)過單色儀分光后輸出的單色光進(jìn)入積分球,積分球?qū)⒐鈩蚧笸ㄟ^兩個(gè)出口分別照射至大光敏面積的標(biāo)準(zhǔn)(定標(biāo)后的)探測(cè)器和待測(cè)光子計(jì)數(shù)器。通過標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器定標(biāo)出入射光功率,并換算出單位時(shí)間內(nèi)照射至標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器的光子數(shù),再根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器與待測(cè)光子計(jì)數(shù)器的面積比例,推算出照射到待測(cè)光子探測(cè)器光敏區(qū)的光子數(shù)。同時(shí)測(cè)量單位時(shí)間內(nèi)待測(cè)探測(cè)器探測(cè)到的光子數(shù)(即電脈沖的數(shù)量),除以照射到待測(cè)光子探測(cè)器的光子數(shù),即為PDE。通過改變單色儀的輸出波長,即可測(cè)量不同波長下光子探測(cè)器的PDE,進(jìn)而畫出PDE 隨波長的變化曲線。 通過PDE 隨波長的變化曲線,可以獲得待測(cè)光子探測(cè)器的光譜響應(yīng)范圍、PDE 峰值波長、PDE 峰值等關(guān)鍵信息。

    單光子探測(cè)器的探測(cè)效率標(biāo)定系統(tǒng)

    適用范圍:

    ■ 蓋革雪崩光電二極管(G-APD);

    ■ 單光子雪崩光電二極管(SPAD);

    ■ 光子計(jì)數(shù)模式的高增益PMT;

    ■ 硅光電倍增管(SiPM);

    ■ 多像素光子計(jì)數(shù)器(MPPC);

    ■ 超導(dǎo)單光子探測(cè)器。

    系統(tǒng)功能 :

    ■ 全光譜光子探測(cè)效率(Photon Detection Efficiency,PDE)

    ■ 全光譜光譜響應(yīng)度(Spectral Responsivity,SR)

    ■ 全光譜外量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)

    單光子探測(cè)器的探測(cè)效率標(biāo)定系統(tǒng)

    產(chǎn)品特點(diǎn):

    ■ 以相對(duì)較低的成本,實(shí)現(xiàn)待測(cè)光子探測(cè)器的PDE的快速標(biāo)定或評(píng)估。

    ■ 通過切換光源,可以實(shí)現(xiàn)不同波段靈敏的光子探測(cè)器/光子計(jì)數(shù)器的PDE的標(biāo)定。

    配置參數(shù):更多配置說明咨詢銷售

    寬帶復(fù)色光源

    可選波長:300-1100nm,可以擴(kuò)展到2500nm

    數(shù)據(jù)采集模塊

    (或帶觸發(fā)頻率計(jì)數(shù)功能的數(shù)字示波器)

    時(shí)間分辨率:4ns/2ns/1.14ns/800ps/400ps可選

    通道:2/4通道可選

    采樣率:2.5 GS/s

    記錄長度:10M

    輸入阻抗:1MΩ,50Ω

    標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器

    硅探測(cè)器:300nm-1100nm,附標(biāo)定證書;

    銦鎵砷探測(cè)器:900nm-1700nm(或者2500nm),附標(biāo)定證書;

    精密源表

    高精度源表,電流量程:10nA-1A,電流分辨率100fA,電壓源范圍0-200V;

    可編程穩(wěn)壓電源

    雙通道0-32V,1mv分辨率。

    應(yīng)用測(cè)量結(jié)果

    左圖為使用本測(cè)試系統(tǒng)測(cè)得的某典型SiPM 的PDE 隨波長變化的曲線。圖中黑色點(diǎn)線、紅色虛線、藍(lán)色實(shí)線分別表示在給SiPM 施加的過偏壓分別為2 伏,3 伏,4 伏時(shí),SiPM 的PDE 隨光波長變化的曲線。從圖中可以看出,該SiPM 的波長響應(yīng)范圍約為350-900 nm,PDE 的峰值波長約為470nm。隨著過偏壓的升高,PDE 明顯上升,過偏壓為4V 時(shí),峰值PDE 達(dá)到約14%,但峰位基本不發(fā)生變化(保持470 nm 不變)。

    單光子探測(cè)器的探測(cè)效率標(biāo)定系統(tǒng)

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